SI6441DQ-T1-GE3 datasheet
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>> SI6441DQ-T1-GE3 MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI6441DQ-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V
SI6441DQ-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
6.3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
15 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSSOP-8
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI6441DQ-T1-GE3
SI6443DQ-T1-E3
SI6443DQ-T1-GE3
SI6447DQ
SI6447DQ-T1
SI6447DQ-T1-E3
供应商
公司名
电话
深圳市新良宇电子有限公司
0755-83237632
李先生
广州市睿科电子科技有限公司
15975398125
曾小姐/汤小姐
深圳市司马科技有限公司
13533399478
陈义
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
中山市翔美达电子科技有限公司
15502070655
朱小姐
深圳市深美诺电子科技有限公司
82525918
李燕兵
SI6441DQ-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1,880
2.098
3944.24
3,000
1.698
5094
6,000
1.67
10020
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